使用b形管的(熔點(diǎn)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)b形管有哪些注意事項(xiàng))
1.熔點(diǎn)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)b形管有哪些注意事項(xiàng)
1、注意要加熱環(huán)狀部位的右側(cè)，進(jìn)行熱浴。
2、熔點(diǎn)管要干凈，管壁要薄。
3、測(cè)量時(shí)將b型管裝滿管中的環(huán)狀部分，過多的話液體沸騰會(huì)溢出。液體可裝液體石蠟等。
4、當(dāng)所用溫度計(jì)浸入傳溫液在6cm以上時(shí)，管長(zhǎng)應(yīng)適當(dāng)增加，使露出液面3cm以上，輕擊管壁或借助長(zhǎng)短適宜的潔凈玻璃管，垂直放在表面皿或其他適宜的硬質(zhì)物體上，將毛細(xì)管自上口放入使自由落下，反復(fù)數(shù)次，使粉末緊密集結(jié)在毛細(xì)管的熔封端。
擴(kuò)展資料：
熔點(diǎn)測(cè)定法：
1、測(cè)定易粉碎的固體藥品：
取供試品適量，研成細(xì)粉，除另有規(guī)定外，應(yīng)按照各藥品項(xiàng)下干燥失重的條件進(jìn)行干燥。若該藥品為不檢查干燥失重、熔點(diǎn)范圍低限在135℃以上、受熱不分解的供試品，可采用105℃干燥；熔點(diǎn)在135℃以下或受熱分解的供試品，可在五氧化二磷干燥器中干燥過夜或用其他適宜的干燥方法干燥。
2、測(cè)定不易粉碎的固體藥品：
取供試品，注意用盡可能低的溫度熔融后，吸入兩端開口的毛細(xì)管（同第一法，但管端不熔封）中，使高達(dá)約10mm。在10℃或10℃以下的冷處靜置24小時(shí)，或置冰上放冷不少于2小時(shí)，凝固后用橡皮圈將毛細(xì)管緊縛在溫度計(jì)上，使毛細(xì)管的內(nèi)容物部分適在溫度計(jì)汞球中部。
3、測(cè)定凡士林或其他類似物質(zhì)：
取供試品適量，緩緩攪拌并加熱至溫度達(dá)90~92℃時(shí)，放入一平底耐熱容器中，使供試品厚度達(dá)到12mm±1mm，放冷至較規(guī)定的熔點(diǎn)上限高8~10℃；取刻度為0.2℃、水銀球長(zhǎng)18~28mm、直徑5~6mm的溫度計(jì)，使冷至5℃后，擦干并小心地將溫度計(jì)汞球部垂直插入。
參考資料來源：百度百科-熔點(diǎn)測(cè)定法
2.熔點(diǎn)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)b形管有哪些注意事項(xiàng)?
熔點(diǎn)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)中，b形管的注意事項(xiàng)： 1、熔點(diǎn)管要干凈，管壁要薄。
2、測(cè)量時(shí)將b型管裝滿管中的環(huán)狀部分，過多的話液體沸騰會(huì)溢出。液體可裝液體石蠟等。
3、注意要加熱環(huán)狀部位的右側(cè)，進(jìn)行熱浴。 4、當(dāng)所用溫度計(jì)浸入傳溫液在6cm以上時(shí)，管長(zhǎng)應(yīng)適當(dāng)增加，使露出液面3cm以上，輕擊管壁或借助長(zhǎng)短適宜的潔凈玻璃管，垂直放在表面皿或其他適宜的硬質(zhì)物體上，將毛細(xì)管自上口放入使自由落下，反復(fù)數(shù)次，使粉末緊密集結(jié)在毛細(xì)管的熔封端。
擴(kuò)展資料： 熔點(diǎn)測(cè)試流程： 1、樣品的干燥和研磨； 2、裝樣（把兩頭封閉長(zhǎng)度約10~12cm的熔點(diǎn)管中間割裂，開口的一端插入樣品粉末中，裝樣約高3~4mm，倒轉(zhuǎn)填緊后，樣高2~3mm）; 3、把裝樣品的毛細(xì)管附于溫度計(jì)上（樣品部分在水銀球中部）； 4、放入熱浴（溫度計(jì)水銀球在熱浴中部，水銀球不能碰瓶底也不能離開熱浴液面）； 粗測(cè)熔點(diǎn)，粗測(cè)時(shí)升溫可稍快，一般每分鐘4~5℃，直至樣品熔化，記下此時(shí)溫度計(jì)讀數(shù)，供精確測(cè)定熔點(diǎn)時(shí)參考； 5、加熱、控溫（開始升溫可快，當(dāng)溫度接近粗側(cè)熔點(diǎn)15℃時(shí)，控制升溫速度1~2℃/min）; 6、觀察熔點(diǎn)（始熔：固體收縮，當(dāng)樣品開始塌落并出現(xiàn)液相時(shí)，即為始熔；全熔：固體完全消失而成透明的液體時(shí)，即為全熔）； 7、記錄結(jié)果（熔點(diǎn)范圍，即始熔至全熔溫度）； 8、要有二次以上重復(fù)的數(shù)據(jù)（通常不取平均值），第二次要用新裝樣品的熔點(diǎn)管，浴溫要低于熔點(diǎn)20℃以上才放入。 參考資料來源：百度百科-b型管 參考資料來源：百度百科-熔點(diǎn)測(cè)定法 參考資料來源：百度百科-熔點(diǎn)測(cè)定。
3.是否毛細(xì)管法測(cè)熔點(diǎn)時(shí)毛細(xì)管一定要貼在溫度計(jì)遠(yuǎn)離支管的一側(cè),如
就我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)，從來沒有聽說過這個(gè)要求。
使用b型管的注意事項(xiàng)是溫度計(jì)應(yīng)該置于兩個(gè)支管口之間，也即是處于熱回流之中。
毛細(xì)管的樣品部分只要和溫度計(jì)水銀球平齊即可。就是說要注意的是Y軸位移，而不用在意X軸位移。
當(dāng)然，為了觀察方便，一般將它貼在遠(yuǎn)離支管的一側(cè)或者靠近支管的一側(cè)。
這個(gè)鏈接里有圖可以看看：
4.預(yù)應(yīng)力波紋管安裝應(yīng)該注意的基本事項(xiàng)
工程可以說是非常關(guān)鍵的，因?yàn)檫@樣的波紋管所發(fā)揮的作用主要是為了將壓力轉(zhuǎn)換為位移力等。如今市面上有著不同材質(zhì)的預(yù)應(yīng)力波紋管，包括了金屬材質(zhì)和塑料材質(zhì)。整體靈敏度高，并且擁有了十分出色的性能指標(biāo)。
這幾年不斷有商家開始引進(jìn)這類管材，進(jìn)而使得預(yù)應(yīng)力波紋管安裝基本注意事項(xiàng)，引起了大家的高度關(guān)注。下面我們就簡(jiǎn)單的為各位消費(fèi)者群體和商家們介紹一下，關(guān)于預(yù)應(yīng)力波紋管安裝的基本注意事項(xiàng)，讓大家在整個(gè)安裝過程當(dāng)中都可以更加正確和順暢。
第一、在波紋管道進(jìn)行地溝埋設(shè)的時(shí)候，必須要按照規(guī)定的設(shè)計(jì)要求，以及符合標(biāo)準(zhǔn)的施工步驟進(jìn)行操作。并且擺放一定要盡可能平直，如果溝底存在不平的現(xiàn)象，可以鋪上細(xì)沙將其鋪墊平整。不僅如此，在進(jìn)行埋管之前還應(yīng)該清除溝內(nèi)當(dāng)中的各類硬質(zhì)物，這樣可以避免后期使用過程當(dāng)中，因?yàn)橛参镔|(zhì)導(dǎo)致波紋管的變形。
第二、在預(yù)應(yīng)力波紋管安裝施工過程當(dāng)中，每根預(yù)應(yīng)力波紋管都可能存在長(zhǎng)度不一樣的情況。這個(gè)時(shí)候，就需要根據(jù)實(shí)際環(huán)境所需要的長(zhǎng)度，進(jìn)而再測(cè)量好管材的準(zhǔn)確長(zhǎng)度之后鋸斷。在鋸斷的時(shí)候，一定要注意切口的平整度，這樣才能在連接的時(shí)候擁有更好的密封性。
第三、對(duì)于預(yù)應(yīng)力波紋管安裝鋪設(shè)第一段的時(shí)候，盡可能不要先填土。用穿纜器試試，可以順利穿孔之后才能繼續(xù)進(jìn)行下面的管材鋪設(shè)工程，這樣更利于后期鋪設(shè)。
第四、在預(yù)應(yīng)力波紋管安裝鋪設(shè)好之后，一定要先使用細(xì)土或是細(xì)將其覆蓋到符合標(biāo)準(zhǔn)的高度。切記不能讓波紋管材處于一種懸空的狀態(tài)。除此之外，如果外力導(dǎo)致了管線或是其他存在一定的損壞現(xiàn)象。這個(gè)時(shí)候在接孔的地方使用水泥將其包覆，這樣才能進(jìn)一步確保使用安全。
第五、在波紋管安裝完畢后，相關(guān)工作人員應(yīng)該盡快將波紋管上的各種輔助定位構(gòu)件以及相關(guān)緊固件進(jìn)行拆除。并且需要按照規(guī)定的設(shè)計(jì)要求，進(jìn)而將限位裝置調(diào)到符合要求的位置，這樣一來，才能夠幫助管材在環(huán)境條件下發(fā)揮更好的補(bǔ)償能力。
以上幾點(diǎn)就是我們針對(duì)預(yù)應(yīng)力波紋管安裝，作出的簡(jiǎn)單分析介紹。希望可以幫助大家更深入的了解這類管材的鋪設(shè)以及安裝，從而作出最正確的操作步驟和安裝手法，使得后期使用起來更加順暢。
5.場(chǎng)效應(yīng)管 使用原則
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖1所示。
通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。
所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。
以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。
圖1(a)符號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。
隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。 國(guó)產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。
它們的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。
這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。
管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。
下面介紹檢測(cè)方法。 1.準(zhǔn)備工作 測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。
最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。
2.判定電極 將萬用表撥于R*100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。
交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。
3.檢查放大能力（跨導(dǎo)） 將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。
為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。
它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、輸出功率高（1~250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。
眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。
由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。
由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。
表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。
下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。 1.判定柵極G 將萬用表撥至R*1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。
若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。 2.判定源極S、漏極D 由圖1可見，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。
用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。 3.測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS(on) 將G-S極短路，選擇萬用表的R*1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。
由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R*1檔實(shí)測(cè)一只。
6.使用試管夾應(yīng)注意什么
1、從試管底部套入，夾在距試管口三分之一處或中上部。
2、夾完以后，手立即放到長(zhǎng)柄處，拇指不要按在短柄上。
3、取下時(shí)，一樣從上往下拿，始終不接觸管口。
4、加熱試管時(shí)需不停地振蕩試管，使受熱均勻。
5、防止腐蝕燒灼，手握長(zhǎng)柄，大拇指按在長(zhǎng)柄上。（注意：大拇指不能按在短柄上）
基本參數(shù)：試管夾長(zhǎng)度不小于180mm，寬度20mm，厚度10mm。試管夾閉口縫不大于1mm，最大開口距不小于25mm。閉口時(shí)兩塊夾片相合無明顯不齊。試管夾所附氈塊應(yīng)粘接牢固，不得脫落。
擴(kuò)展資料
試管的使用注意事項(xiàng)：
1、裝溶液時(shí)不超過試管容量的1/2，加熱時(shí)不超過試管容量的1/3。
2、用滴管往試管內(nèi)滴加液體時(shí)應(yīng)懸空滴加，不得伸入試管口。
3、取塊狀固體要用鑷子夾取放至試管口，然后慢慢豎起試管使固體滑入試管底，不能使固體直接墜入，防止試管底破裂。
4、加熱使用試管夾，試管口不能對(duì)著人。加熱盛有固體的試管時(shí)，管口稍向下，加熱液體時(shí)傾斜約45°。
5、受熱要均勻，以免暴沸或試管炸裂。
6、加熱后不能驟冷，防止破裂。
參考資料來源：搜狗百科——試管夾
