CMP,即Chemical Mechanical Polishing,化學(xué)機(jī)械拋光。
CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括:拋光機(jī)、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。 CMP技術(shù)的概念是1965年由Monsanto首次提出。
該技術(shù)最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面,如望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運(yùn)用于4MDRAM 的制造中,而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后,CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。
區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法,CMP通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。 它利用了磨損中的"軟磨硬"原理,即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。
CMP拋光液是以高純硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品,廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。 。
計算機(jī):Chip multiprocessors,單芯片多處理器,也指多核心
電子:Chemical Mechanical Planarization,化學(xué)機(jī)械平坦化
綜合布線:Plenum Cable,天花板隔層電纜
計算機(jī):
CMP是由美國斯坦福大學(xué)提出的,其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP(對稱多處理器)集成到同一芯片內(nèi),各個處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。與CMP比較, SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。但是,當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)入0.18微米以后,線延時已經(jīng)超過了門延遲,要求微處理器的設(shè)計通過劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來進(jìn)行。相比之下,由于CMP結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個處理器核來設(shè)計,每個核都比較簡單,有利于優(yōu)化設(shè)計,因此更有發(fā)展前途。目前,IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP結(jié)構(gòu)。多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存,提高緩存利用率,同時簡化多處理器系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度。
電子
化學(xué)機(jī)械平坦化 (英語:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又稱化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù),使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。
益德隆高速鋼鋸片廠家教你怎么研磨高速鋼圓鋸片才好用? (一)首先就是清洗,需要配合正確的清洗液。
(二)進(jìn)行鋼板的平整度的測試與修復(fù)。 (三)檢查刀頭,查看是否崩齒、掉齒,磨損的程度與刀頭是否打彎。
然后進(jìn)行刀頭的修復(fù),磨損嚴(yán)重的只能更換了。 (四)放入調(diào)試好參數(shù)的全自動研磨機(jī)進(jìn)行自動修復(fù)了。
然而,機(jī)器的預(yù)先調(diào)試就需要注意砂輪的選擇。砂輪的選擇是注意砂輪的力度,進(jìn)刀速度跟時間。
(五)對鋸片的檢查。然后進(jìn)行包裝,加上包管。
在這里智欣行刀具給大家的建議是,盡量不要選擇手工修磨。 手工修磨,每次的進(jìn)刀量是難以控制,精度不精準(zhǔn),最致命地導(dǎo)致每個刀頭不再同一圓內(nèi),影響產(chǎn)品的切面效果,增加劃痕,有毛刺,影響下一道工序,直接導(dǎo)致企業(yè)生產(chǎn)效率低下。
另外,正因?yàn)槭鞘止げ僮鳎髂チ亢苋菀走^重,導(dǎo)致原本能修磨10次的鋁合金門窗鋸片只能磨3-5次,降低鋸片的使用壽命,進(jìn)而使企業(yè)生產(chǎn)成本增加。 高速鋼圓鋸片研磨后的效果分析 圓鋸片研磨后效果分析也是比較關(guān)鍵的一步,根據(jù)實(shí)用情況我們可以判斷,研磨后品質(zhì)如何,研磨前后的對比,并是否達(dá)到用戶理想效果,這一步至關(guān)重要。
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