真空蒸鍍方法(真空蒸鍍的工藝流程)
1.真空蒸鍍的工藝流程
1、脫脂處理 用丙酮或酒精進(jìn)行清洗
2、表面處理（必要時(shí)） 電暈（corona）放電處理，紫外線照射處理等。
3、底面涂布/硬化處理（必要時(shí)）
為了得到精美的蒸鍍膜，有時(shí)必須進(jìn)行底面涂布處理。進(jìn)行底面涂布處理可以得到以下的效果：
(1)、改善樹(shù)脂與蒸鍍膜之間的密接性
(2)、將成型品表面的微小凹凸部分填平，以獲得如鏡面一樣的表面
無(wú)論是為了得到反射鏡作用而實(shí)施真空蒸鍍，還是對(duì)密接性較低的奪鋼進(jìn)行真空蒸鍍時(shí)，都必須進(jìn)行底面涂布處理。底面涂布工藝基本與涂布工藝相似。如一般的涂料一樣，可以使用噴槍進(jìn)行噴涂。
4、真空蒸鍍工藝 蒸鍍金屬為鋁、金等。
5、表面涂布/硬化處理（必要時(shí)）
由真空蒸鍍所產(chǎn)生的金屬薄膜相當(dāng)?shù)谋。瑸榱死猛饨绲幕瘜W(xué)、物理等性能，以達(dá)到保護(hù)蒸鍍膜的目的，有時(shí)需要實(shí)施表面涂布處理（或過(guò)量涂布）。
2.蒸鍍的蒸鍍工藝
1、cvd用原料化合物及其制造方法及銥或銥化合物薄膜的化學(xué)氣相蒸鍍法
2、cvd用原料化合物及銥或銥化合物薄膜的化學(xué)氣相蒸鍍方法
3、cvd用原料化合物以及釕或釕化合物薄膜的化學(xué)氣相蒸鍍方法
4、彩色陰極射線管及其制造方法和蒸鍍用復(fù)合材料
5、層壓薄膜和使用它的蒸鍍薄膜
6、除塵裝置、蒸鍍機(jī)臺(tái)及以其進(jìn)行清潔遮罩的方法
7、帶有磁鐵的等離子體的連續(xù)蒸鍍裝置
8、等離子體蒸鍍?cè)O(shè)備防止凝縮裝置
9、電激發(fā)光顯示板的制造方法及蒸鍍遮罩
10、電激發(fā)光元件的制造方法及蒸鍍遮罩
11、改進(jìn)型蒸鍍方法
12、高溫超導(dǎo)薄膜雙面蒸鍍技術(shù)及其裝置
13、金屬蒸鍍薄膜、其制造方法及使用它的電容器
14、利用等離子體的高分子膜連續(xù)蒸鍍裝備的電極固定裝置
15、利用等離子體的高分子膜連續(xù)蒸鍍裝置清洗方法
16、利用蒸鍍夾具的手機(jī)外殼emi層真空蒸鍍方法及夾具
17、連續(xù)式蒸鍍?yōu)R鍍機(jī)
18、免蒸鍍的硬式帶式自動(dòng)焊接封裝方法
19、鋅蒸鍍薄膜及金屬化薄膜電容器
20、掩模蒸鍍方法及裝置、掩模及其制造方法、顯示板制造裝置
21、氧化鎂蒸鍍材料
22、一氧化硅蒸鍍材料及其制造方法、制造原料和制造裝置
23、一氧化硅蒸鍍材料及其制造方法
24、一種利用強(qiáng)電場(chǎng)的真空熱蒸鍍成膜方法
25、一種用于半導(dǎo)體激光器腔面蒸鍍的非接觸固定方式的夾具
26、陰極電弧蒸鍍方式淀積類(lèi)金剛石碳膜的制備方法
27、用于鐳射壓印蒸鍍的雙向拉伸聚丙烯基膜
28、用于鐳射壓印蒸鍍的雙向拉伸聚丙烯基膜及其制造方法
29、用于生產(chǎn)高折射率光學(xué)涂層的蒸鍍用材料
30、用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置
31、有機(jī)el元件制造用蒸鍍裝置的室內(nèi)的清洗方法
32、有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光膜蒸鍍用蒸鍍?cè)?/p>
33、有機(jī)發(fā)光二極管蒸鍍機(jī)臺(tái)
34、有機(jī)膜蒸鍍方法
35、在光學(xué)基片上蒸鍍鍍膜的方法
36、在光學(xué)基片上蒸鍍鍍膜的真空鍍膜設(shè)備
37、真空電弧蒸鍍方法及裝置
38、真空蒸鍍?cè)O(shè)備用的蒸鍍裝置
39、蒸鍍材料及其利用該材料制造光學(xué)薄膜
40、蒸鍍材料其制備方法和用該材料制備光學(xué)涂層方法
41、蒸鍍方法及顯示裝置的制造方法
42、蒸鍍方法及蒸鍍裝置
43、蒸鍍膜
44、蒸鍍掩模及制法、顯示裝置及制法以及具有其的電子機(jī)器
45、蒸鍍用坩鍋
46、蒸鍍用掩模及其制造方法
47、蒸鍍裝置
48、蒸鍍裝置
49、蒸鍍裝置
50、蒸鍍裝置
51、直接蒸鍍用樹(shù)脂組合物、使用該組合物的模塑制品以及表面金屬化處理的燈罩
52、制作電致發(fā)光顯示器的、使用電磁鐵的蒸鍍裝置及采用此裝置的蒸鍍方法
3.什么是真空濺鍍,它與真空蒸鍍有什么區(qū)別
真空濺鍍，是真空濺射鍍膜的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種物理鍍膜的方法.
真空鍍膜主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
需要鍍膜的被稱(chēng)為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。
對(duì)于濺射類(lèi)鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，最終形成薄膜。
4.請(qǐng)問(wèn)"水鍍","蒸鍍"的詳細(xì)解釋?zhuān)üに嚕?/h2>
真空蒸鍍法是在高真空下為金屬加熱，使其熔融、蒸發(fā)，冷卻后在樣品表面形成金屬薄膜的方法。
加熱金屬的方法：有利用電阻產(chǎn)生的熱能，也有利用電子束的。 在對(duì)樹(shù)脂實(shí)施蒸鍍時(shí)，為了確保金屬冷卻時(shí)所散發(fā)出的熱量不使樹(shù)脂變形，有必須對(duì)蒸鍍時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。
此外，熔點(diǎn)、沸點(diǎn)太高的金屬或合金不適合于蒸鍍。 水鍍其工藝過(guò)程為：針對(duì)各種本體和鍍層的需要，配有不同的專(zhuān)用“水鍍”液，被鍍金屬在室溫（15—40℃）下，置于水鍍液中，作輕微晃動(dòng)，在較短的時(shí)間內(nèi)（如鍍銀，僅需30秒）即可完成。
5.什么是真空電鍍,都有那些工序
濕法工藝：
1.化學(xué)浸鍍
2.電鍍
3.噴導(dǎo)電涂料
干法工藝
1.真空蒸鍍
2.陰極濺鍍
3.離子鍍
4.燙金
5.熔融噴鍍
真空蒸鍍法是在高度真空條件下加熱金屬，使其熔融、蒸發(fā)，冷卻后在塑料表面形成金屬薄膜的方法。常用的金屬是鋁等低熔點(diǎn)金屬。
加熱金屬的方法：有利用電阻產(chǎn)生的熱能，也有利用電子束的。
在對(duì)塑料制品實(shí)施蒸鍍時(shí)，為了確保金屬冷卻時(shí)所散發(fā)出的熱量不使樹(shù)脂變形，必須對(duì)蒸鍍時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。此外，熔點(diǎn)、沸點(diǎn)太高的金屬或合金不適合于蒸鍍。
置待鍍金屬和被鍍塑料制品于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使金屬蒸發(fā)或升華，金屬蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金屬薄膜。
在真空條件下可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向塑料制品過(guò)程中和其他分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對(duì)于蒸發(fā)源與被鍍制品和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低（ 10-5Pa ）。
鍍層厚度0.04-0.1um，太薄，反射率低；太厚，附著力差，易脫落。厚度0.04時(shí)反射率為90%
6.真空蒸鍍與濺射鍍膜優(yōu)缺點(diǎn)
濺射比蒸鍍和工作真空低一個(gè)數(shù)量級(jí)，所以膜層的含氣量要比蒸鍍高.
蒸鍍不適用于高溶點(diǎn)材料，如鉬，鎢，~~等.因?yàn)槿茳c(diǎn)高，蒸發(fā)太慢，而濺射的速度比蒸鍍快很多.
濺射不適用于低硬度材料，如非金屬材料.
濺射不適用于非導(dǎo)電材料.
蒸鍍不能控制厚度，而濺射可以用時(shí)間控制厚度.
蒸鍍不適應(yīng)大規(guī)模的生產(chǎn).
蒸鍍的電子動(dòng)能比濺射小很多，雖然含氣量少，但是膜層易脫落，
濺射的膜均勻，蒸鍍的膜中心點(diǎn)厚，四周薄.
在國(guó)內(nèi)蒸鍍工藝比濺射工藝成熟.
當(dāng)然還有很多，一會(huì)也說(shuō)不完.就看你主要想知道什么.
7.常用的物理鍍膜方法有幾種
一.光學(xué)鍍膜材料（純度：99.9%-99.9999%）
1. 高純氧化物：
一氧化硅、SiO，二氧化鉿、HfO2，二硼化鉿，氯氧化鉿，二氧化鋯、ZrO2，二氧化鈦、TiO2，一氧化鈦、TiO，二氧化硅、SiO2，三氧化二鈦、Ti2O3，五氧化三鈦、Ti3O5，五氧化二鉭、Ta2O5，五氧化二鈮、Nb2O5，三氧化二鋁、Al2O3，三氧化二鈧、Sc2O3，三氧化二銦、In2O3，二鈦酸鐠、Pr(TiO3)2，二氧化鈰、CeO2，氧化鎂、MgO，三氧化鎢、WO3，氧化釤、Sm2O3，氧化釹、Nd2O3，氧化鉍、Bi2O3，氧化鐠、Pr6O11，氧化銻、Sb2O3，氧化釩、V2O5，氧化鎳、NiO，氧化鋅、ZnO，氧化鐵、Fe2O3，氧化鉻、Cr2O3，氧化銅、CuO等。
2. 高純氟化物：
氟化鎂、MgF2，氟化鐿、YbF3，氟化釔、LaF3，氟化鏑、DyF3，氟化釹、NdF3，氟化鉺、ErF3，氟化鉀、KF，氟化鍶、SrF3，氟化釤、SmF3，氟化鈉、NaF，氟化鋇、BaF2，氟化鈰、CeF3，氟化鉛等。
4. 混合料：
氧化鋯氧化鈦混合料，氧化鋯氧化鉭混合料，氧化鈦氧化鉭混合料，氧化鋯氧化釔混合料，氧化鈦氧化鈮混合料，氧化鋯氧化鋁混合料，氧化鎂氧化鋁混合料，氧化銦氧化錫混合料，氧化錫氧化銦混合料，氟化鈰氟化鈣混合料等混合料
3. 高純金屬類(lèi)：
高純鋁，高純鋁絲，高純鋁粒，高純鋁片，高純鋁柱，高純鉻粒，高純鉻粉，鉻條，高純金絲，高純金片，高純金，高純金粒，高純銀絲，高純銀粒，高純銀，高純銀片，高純鉑絲，高純鉿粉，高純鉿絲，高純鉿粒，高純鎢粒，高純鉬粒，高純單晶硅，高純多晶硅，高純鍺粒，，高純錳粒，高純鈷，高純鈷粒，高純鉬，高純鉬片，高純鈮，高純錫粒，高純錫絲，高純鎢粒，高純鋅粒，高純釩粒，高純鐵粒，高純鐵粉，海面鈦，高純鋯絲，高純鋯，海綿鋯，碘化鋯，高純鋯粒，高純鋯塊，高純碲粒，高純鍺粒， 高純鈦片，高純鈦粒，高純鎳，高純鎳絲，高純鎳片，高純鎳柱，高純鉭片，高純鉭，高純鉭絲，高純鉭粒，高純鎳鉻絲，高純鎳鉻粒，高純鑭，高純鐠，高純釓，高純鈰，高純鋱，高純鈥，高純釔，高純鐿，高純銩，高純錸，高純銠，高純鈀，高純銥等.
5. 其他化合物：
鈦酸鋇，BaTiO3，鈦酸鐠，PrTiO3，鈦酸鍶，SrTiO3，鈦酸鑭，LaTiO3，硫化鋅，ZnS，冰晶石，Na3AlF6，硒化鋅，ZnSe，硫化鎘。
6. 輔料：
鉬片，鉬舟、鉭片、鎢片、鎢舟、鎢絞絲。
