存儲器編制方法(存儲器分類方法)
1.存儲器有哪些分類方法
按存儲介質(zhì)
半導(dǎo)體存儲器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
按存儲方式
隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關(guān)。
按讀寫功能
只讀存儲器（ROM）：存儲的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲器。
隨機讀寫存儲器（RAM）：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲器。
按信息保存性
非永久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。
按用途
根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。
為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，通常采用多級存儲器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。
2.ARMTTDMI采用何種存儲器編制方式
ARM7微處理器系列 ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結(jié)構(gòu)，三級流水線，平均功耗為0.6mW/MHz，時鐘速度為66MHz，最適合用于對價位和功耗要求較高的消費類應(yīng)用。
ARM7微處理器系列包括如下幾種類型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內(nèi)帶Cache的ARM核。ARM7主要應(yīng)用領(lǐng)域為：工業(yè)控制、Internet設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器設(shè)備、移動電話等多種多媒體和嵌入式應(yīng)用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴展組合在一起，以減少內(nèi)存容量和系統(tǒng)成本。同時，它還利用嵌入式ICE調(diào)試技術(shù)來簡化系統(tǒng)設(shè)計，并用一個DSP增強擴展來改進性能。
該產(chǎn)品的典型用途是數(shù)字蜂窩電話和硬盤驅(qū)動器。 提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個重要區(qū)別在于后者有存儲空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內(nèi)緩存（提高CPU性能），前者不支持實時操作系統(tǒng)RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE。
3.ARMTTDMI采用何種存儲器編制方式
ARM7微處理器系列
ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結(jié)構(gòu)，三級流水線，平均功耗為0.6mW/MHz，時鐘速度為66MHz，最適合用于對價位和功耗要求較高的消費類應(yīng)用。ARM7微處理器系列包括如下幾種類型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內(nèi)帶Cache的ARM核。ARM7主要應(yīng)用領(lǐng)域為：工業(yè)控制、Internet設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器設(shè)備、移動電話等多種多媒體和嵌入式應(yīng)用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴展組合在一起，以減少內(nèi)存容量和系統(tǒng)成本。同時，它還利用嵌入式ICE調(diào)試技術(shù)來簡化系統(tǒng)設(shè)計，并用一個DSP增強擴展來改進性能。該產(chǎn)品的典型用途是數(shù)字蜂窩電話和硬盤驅(qū)動器。
提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個重要區(qū)別在于后者有存儲空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內(nèi)緩存（提高CPU性能），前者不支持實時操作系統(tǒng)RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE
4.存儲器的存儲形式有哪些
c的char數(shù)據(jù)屬于基本類型，基本類型其中還包括-整型，實型，枚舉類型！ 數(shù)據(jù)在內(nèi)存中是以二進制形式存放的。
數(shù)值是以補碼表示的。 整型： 一個正數(shù)的補碼和其原碼的形式相同。
而負數(shù)的補碼方式是將其絕對值的二進制形式“按位求反再加1” 實型： 在內(nèi)存中占4個字節(jié)，是按照指數(shù)形式存儲的，實型數(shù)據(jù)分為小數(shù)部分和指數(shù)部分，分別存放！計算機用二進制表示小數(shù)部分，用2的冪次來表示指數(shù)部分！ 字符型： 在內(nèi)存中字符的存儲實際上是把字符相對應(yīng)的ASCII代碼放到存儲單元中的。而這些ASCII代碼值在計算機中也是以二進制形式存放的。
這個與整型的存儲很相似。因此這兩類之間的轉(zhuǎn)換也比較方便。
5.在存儲器系統(tǒng)中,有哪些實現(xiàn)片選控制的方法
這個問題比較專業(yè)，非計算機科班出身是不能解決的！~~ 這個是計算機原理里面的科目~
要點：存儲器系統(tǒng)中，實現(xiàn)片選控制的方法如下：
(1)全譯碼法：微處理器全部地址都參與譯碼，如8086微處理器地址線A19-A0，因此對應(yīng)于存儲器芯片中的任意單元都侖惟—的確定地址，不出現(xiàn)地址重疊。
(2)部分譯碼法：微處理器的地址低位部分作為片內(nèi)地址，部分的高位地址經(jīng)譯碼器后作為片選控制信號，還有部分高位地址空留沒用，這種譯碼方式稱為部分譯碼法。這種方法有地址重疊。
(3)線選法：在微型計算機系統(tǒng)中，若存儲容量較小.而且以后也不進行系統(tǒng)存儲容量的擴充，片選控制電路可由幾片小規(guī)模集成電路芯片組成；再用剩余地址線中的某一條或兩條作為控制信號線以便選擇不同的芯片。這種方法仍產(chǎn)生地址重疊。
6.存儲器技術(shù)指標(biāo)有哪四種
存儲器是具有“記憶”功能的設(shè)備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。
記憶元件可以是磁芯，半導(dǎo)體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。 位（bit）是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)（Byte），可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字（Word）在PC機中一般認為1個或2個字節(jié)組成一個字。
若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體（MemoryBank）。為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。
地址與存儲單元之間一一對應(yīng)，且是存儲單元的唯一標(biāo)志。應(yīng)注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。
根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。
在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器（RAM）。
另一種存儲器叫只讀存儲器（ROM），里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。因為結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。
為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等.存儲器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。 存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。
一般主存儲器（內(nèi)存）容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲器（外存）在幾百K到幾千M字節(jié)。 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進行讀寫。
存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導(dǎo) 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
MTBF越長，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項內(nèi)容。
性能價格比是一個綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。
因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標(biāo)。
7.存儲器的擴展方式哪三種
存儲器的擴展方式有字擴展、位擴展、字位同時擴展。存儲器芯片與單片機擴展連接具有共同的規(guī)律。即不論何種存儲器芯片，其引腳都呈三總線結(jié)構(gòu)，與單片機連接都是三總線對接。另外，電源線接電源線，地線接地線。
目前生產(chǎn)的存儲器芯片容量有限，在字數(shù)或字長方面與實際存儲器要求有所差距，所以要在字向與位向兩方面進行擴充，才能滿足實際存儲器的要求。
cpu對存儲器進行讀寫操作時，首先由地址總線給出地址信號，然后再發(fā)出有關(guān)進行讀操作與寫操作的控制信號，最后在數(shù)據(jù)總線上進行信息交換。
擴展資料：
存儲器的擴展技術(shù)：
總片數(shù)=總?cè)萘?（容量/片）。
例：存儲器容量為8K*8b，若選用2114芯片（1K*4b），則需要的芯片數(shù)為：（8K*8b）/(1K*4b)=16（片）。
(1)位擴展。
只在位數(shù)方向擴展（加大字長），而芯片的字數(shù)和存儲器的字數(shù)是一致的。即b前面不一樣，K前面保持一樣。
例：用64K*1b的SRAM芯片組成64K*8b的存儲器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(64K*1b)=8（片）。
位擴展的關(guān)鍵就是將兩個存儲芯片當(dāng)成一個存儲芯片來用，讓兩個存儲芯片同時工作，同時被選中，同時做讀操作，同時做寫操作，要想保證同時，就是把兩個芯片的片選，用相同的信號進行連接。
(2)字擴展。
僅在字數(shù)方向擴展，而位數(shù)不變。即K前面不一樣，b前面保持一樣。
例：用16K*8b的SRAM組成以64K*8b的存儲器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(16K*8b)=4（片）。
(3)字和位同時擴展。
參考資料來源：搜狗百科-位擴展
參考資料來源：搜狗百科-字擴展
